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Thema

Avalanche Energy und Überspannung bei MOSFETs - sind Dämpfungsglieder oder TVS-Dioden noch zeitgemäß?

Datum und Uhrzeit

04.06.2024 | 10:00-10:45 Uhr

Referent

Prof. Markus Rehm
IBR Ingenieurbüro Rehm & Partner

Inhalt

Überspannung an Halbleitern sind bei unseren Fehlerausfall-Analysen in Schaltnetzteilen die Hauptursache. Das hat sich in den letzten 25 Jahren nicht geändert, obwohl fast alle MOSFETs "avalanche energy rated" sind. Warum ist das so? Eine Einschätzung vom Schaltnetzteil-Experten.

• Die Ursache für Überspannungen an Halbleiterschaltern
• Richtiges Messen der Überspannung
• Braucht man ein Dämpfungsglied oder eine TVS-Diode?
• Wie ist das „avalanche rating“ beim MOSFET genau spezifiziert?
• Fazit, Empfehlungen und Lösungsansätze

Für Fragen bleibt Raum im Anschluss und während des Vortrages.

Eine Anmeldung ist bis zum 03.06.2024 möglich.

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